全新原装 BSC190N15NS3G SON-8 场效应管

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:50 A

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Qg-栅极电荷:23 nC

工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:6 ns

正向跨导 - 小值:57 S, 29 S

小工作温度:- 55 C

上升时间:53 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:5000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GXT SP000416636