CSD17308Q3 MOS场效应管芯片晶体管 QFN8

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSON-Clip-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:10.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:3.9 nC

小工作温度:- 55 C

工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:28 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:3.3 mm

系列:CSD17308Q3

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

宽度:3.3 mm

商标:Texas Instruments

开发套件:BQ500211AEVM-210

下降时间:2.3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5.7 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:9.9 ns

典型接通延迟时间:4.5 ns

单位重量:41 mg

特性

1• 针对 5V 栅极驱动器进行了优化

• 超低 Qg 和 Qgd 

• 低热阻 

• 雪崩级

• 无铅端子镀层

• 符合 RoHS

• 无卤素

• VSON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装 

2 应用 

• 笔记本电脑负载点

• 网络、电信和计算系统的负载点同步降压 

3 说明 此 30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于降低功率转换 应用 中的损耗并针对 5V 栅极驱动器 应用进行了优化。