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进店逛逛IPB042N10N3G
规格信息：
规格信息：
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:是
商标:Infineon Technologies
Id-连续漏极电流:100 A
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Rds On-漏源导通电阻:4.2 mOhms
晶体管极性:N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :20 V
工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:214 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:D2PAK-3
封装:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:14 ns
小工作温度:- 55 C
上升时间:59 ns
系列:OptiMOS 3
工厂包装数量:1000
商标名:OptiMOS
典型关闭延迟时间:48 ns
典型接通延迟时间:27 ns
零件号别名:IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GXT SP000446880
