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IPP65R190CFD TO220 直插 场效应三极管

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IPP65R190CFD TO220 直插 场效应三极管
更新时间:2021-10-15 09:25 免费会员
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IPP65R190CFD
规格信息:

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:17.5 A

Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:68 nC

Pd-功率耗散:151 W

配置:Single

商标名:CoolMOS

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

系列:CoolMOS CFD2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:6.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8.4 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

零件号别名:IPP65R190CFDXKSA1 IPP65R19CFDXK SP000881160

单位重量:6 g