1000A高电流脉冲电流源

1000A高电流脉冲电流源为脉冲恒流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（10uS）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出极性切换等特点。详询一八一四零六六三四七六；普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。

器件	测试项
肖特基二极管，整流桥堆	瞬时前向电压
IGBT器件	IGBT导通压降、键合线阻抗
IGBT模块，IPM模块	IGBT导通压降、二极管瞬时前向电压、键合线阻抗

技术指标

参数	指标
电流脉宽	50μs~500μs
脉冲电流上升沿时间	<10μs
输出脉冲电流	3~1000A量程，精度0.1%FS±1A
输出负载电压要求	<12V@1000A
DUT电压测量	2通道
	远端测量，峰值电压测量（取样点可配置）
	0~12V量程,精度0.1%FS±3mV
电流脉冲输出间隔时间	1秒
电流脉冲峰值功率	<12kW
多设备并联	支持多设备并联输出超大电流，如3000A
输出极性反转	支持
触发信号	支持trig in及trig out
通讯接口	RS232、LAN
输入电压	90~264VAC、50/60Hz
输入功率	<800W
尺寸	长516 x宽220 x高167mm

应用领域

肖特基二极管

整流桥堆

IGBT器件

IGBT半桥模块

IPM模块

更多有关1000A高电流脉冲电流源的信息找武汉生产厂家普赛斯仪表一八一四零六六三四七六；设备可应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设备可以完成“电流-导通电压”扫描测试。