车规IGBT静态参数测试系统

IGBT一种是功率半导体器件，用于电力转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”。融合了 BJT和MOSFET的性能优势，具有高耐压，大电流，低导通损耗等特点。
随着技术的升级，芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关断时间、开关功耗均不断减小，器件耐压值由600V升至7000V。其主要应用包括传统的工业控制和家电，以及新兴的电动汽车、新能源发电等领域。普赛斯车规IGBT静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。详询一八一四零六六三四七六；该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。

车规IGBT静态参数测试系统优点：

量程范围宽—具有高电压和大电流特性，电压可高达3kV，电流可高达4000A（多模块并联）。
测量精度高—采用多量程设计架构，各量程下均可保证0.1%精度，具有uΩ级精确测量、pA级电流测量能力。
模块化测量单元—测量单元采用模块化设计理念，可根据测试需求搭配不同规格测量单元。系统预留有升级空间，后期可添加或升级测量单元，降低整体使用成本。
测试效率高—内置专用开关矩阵夹具，符合国标测试要求，根据测试项目自动切换电路与测量单元，提高测试效率。

技术指标