高精密源表IV扫描MOS场效应管

      半导体分立器件是组成集成电路的基础，包含大量的双端口或三端口器件，如二极管，晶体管，场效应管等。 直流I-V测试是表征微电子器件工艺及材料特性的基础，通常使用I-V特性分析或I-V曲线来决定器件的基本参数。

      分立器件I-V特性测试的主要目的是通过实验帮助工程师提取半导体器件的基本I-V特性参数，并在整个工艺流程结束后评估器件的优劣。在半导体制程的多个阶段都有应用，如金属互连，镀层阶段，芯片封装后的测试等。

      普赛斯仪表开发的半导体分立器件I-V特性测试方案，由一台或两台源精密源测量单元（SMU）、夹具或探针台、上位机软件构成。以三端口MOSFET场效应管为例，配套以下设备：

      高精密源表IV扫描MOS场效应管需要几台源表？搭建方案示意图？
      、三极管测试时一台加在基极与发射极之间，一台加在集电极与发射极之间；MOS管测试时一台加在栅极与源极之间，一台加在漏极与源极之间；需要使用两台直流源表同步触发使用，或使用插卡式直流源表； 

     、三极管的基极及MOS管的栅极一般耐压值较低于30V，基于性价比考虑，其中一台使用S100即可，另一台根据三极管的集电极或MOS管的漏极耐压而定；

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